Datasheet MMBTA64LT1G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, PNP -30 В SOT-23 — Даташит
Наименование модели: MMBTA64LT1G
![]() 59 предложений от 24 поставщиков Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А, 0.3 Вт | |||
MMBTA64LT1G ON Semiconductor | 1.57 ₽ | ||
MMBTA64LT1G ON Semiconductor | от 2.85 ₽ | ||
MMBTA64LT1G PNP; 30В; 0,5А; 225мВт; SOT23 | 14 ₽ | ||
MMBTA64LT1G | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Биполярный транзистор, PNP -30 В SOT-23
Краткое содержание документа:
MMBTA63LT1G, MMBTA64LT1G Darlington Transistors
PNP Silicon
Features http://onsemi.com
COLLECTOR 3 BASE 1 Symbol VCES VCBO VEBO IC Value -30 -30 -10 -500 Unit Vdc Vdc Vdc mAdc 1 2 SOT-23 (TO-236) CASE 318 STYLE 6 3 EMITTER 2
· These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30 В
- Transition Frequency Typ ft: 125 МГц
- Power Dissipation Pd: 300 мВт
- DC Collector Current: 500 мА
- DC Current Gain Max (hfe): 20000
RoHS: есть