Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet MMBTA64LT1G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, PNP -30 В SOT-23 — Даташит

ON Semiconductor MMBTA64LT1G

Наименование модели: MMBTA64LT1G

46 предложений от 17 поставщиков
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А, 0.3 Вт
MMBTA64LT1G
ON Semiconductor
0.69 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
MMBTA64LT1G
ON Semiconductor
1.78 ₽
Utmel
Весь мир
MMBTA64LT1G
ON Semiconductor
от 2.25 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
MMBTA64LT1G
ON Semiconductor
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Биполярный транзистор, PNP -30 В SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
MMBTA63LT1G, MMBTA64LT1G Darlington Transistors
PNP Silicon
Features http://onsemi.com
COLLECTOR 3 BASE 1 Symbol VCES VCBO VEBO IC Value -30 -30 -10 -500 Unit Vdc Vdc Vdc mAdc 1 2 SOT-23 (TO-236) CASE 318 STYLE 6 3 EMITTER 2
· These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30 В
  • Transition Frequency Typ ft: 125 МГц
  • Power Dissipation Pd: 300 мВт
  • DC Collector Current: 500 мА
  • DC Current Gain Max (hfe): 20000

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet MMBTA64LT1G - ON Semiconductor BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -30 V SOT-23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России