Datasheet NJT4030PT1G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, PNP, -40 В, SOT-223 — Даташит
Наименование модели: NJT4030PT1G
![]() 26 предложений от 15 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, SOT-223 PNP 40V 3A | |||
NJT4030PT1G ON Semiconductor | от 13 ₽ | ||
NJT4030PT1G ON Semiconductor | 146 ₽ | ||
NJT4030PT1G ON Semiconductor | по запросу | ||
NJT4030PT1G ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Биполярный транзистор, PNP, -40 В, SOT-223
Краткое содержание документа:
NJT4030P Bipolar Power Transistors
PNP Silicon
Features
Collector --Emitter Sustaining Voltage -
VCEO(sus) = 40 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc High DC Current Gain = 200 (Min) @ IC = 1.0 Adc hFE = 100 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector -Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 0.200 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Adc = 0.500 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc SOT-223 Surface Mount Packaging Epoxy Meets UL 94, V- @ 0.125 in -0 ESD Ratings: Human Body Model, 3B; > 8000 V Machine Model, C; > 400 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40 В
- Transition Frequency Typ ft: 160 МГц
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- DC Collector Current: 3 А
- DC Current Gain Max (hfe): 100
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- WAKEFIELD SOLUTIONS - 217-36CTRE6