Datasheet NJT4030PT1G - ON Semiconductor Даташит Биполярный транзистор, PNP, -40 В, SOT-223 — Даташит
![]()
Наименование модели: NJT4030PT1G
Купить NJT4030PT1G на РадиоЛоцман.Цены — от 6.14 до 145 ₽33 предложений от 17 поставщиков TRANS PNP 40V 3A SOT-223. Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 3A 160MHz 2W Surface Mount SOT-223. Transistors - Bipolar (BJT) -... | |||
| NJT4030PT1G ON Semiconductor | 9.58 ₽ | ||
| NJT4030PT1G ON Semiconductor | от 12 ₽ | ||
| NJT4030PT1G ON Semiconductor | 33 ₽ | ||
| NJT4030PT1G ON Semiconductor | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: ON Semiconductor
Описание: Биполярный транзистор, PNP, -40 В, SOT-223
Краткое содержание документа:
NJT4030P Bipolar Power Transistors
PNP Silicon
Features
Collector --Emitter Sustaining Voltage -
VCEO(sus) = 40 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc High DC Current Gain = 200 (Min) @ IC = 1.0 Adc hFE = 100 (Min) @ IC = 3.0 Adc Low Collector -Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 0.200 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Adc = 0.500 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc SOT-223 Surface Mount Packaging Epoxy Meets UL 94, V- @ 0.125 in -0 ESD Ratings: Human Body Model, 3B; > 8000 V Machine Model, C; > 400 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40 В
- Transition Frequency Typ ft: 160 МГц
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- DC Collector Current: 3 А
- DC Current Gain Max (hfe): 100
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- WAKEFIELD SOLUTIONS - 217-36CTRE6

Купить NJT4030PT1G на РадиоЛоцман.Цены




