Datasheet ZXMN10A08E6 - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23-6 — Даташит

Купить ZXMN10A08E6 на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 74 ₽ 26 предложений от 16 поставщиков Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R
ChipWorker Весь мир	ZXMN10A08E6TA-50 Diodes	12 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	ZXMN10A08E6TA Diodes	14 ₽	Купить
ЧипСити Россия	ZXMN10A08E6TA Diodes	38 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	ZXMN10A08E6TA Diodes	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23-6

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 400 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 1.9 А
• Current Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 400 МОм
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
• Pulse Current Idm: 5.3 А
• SMD Marking: 10A8
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: есть