На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet ZXMN6A08E6 - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23-6 — Даташит

Diodes ZXMN6A08E6

Наименование модели: ZXMN6A08E6

29 предложений от 15 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 6Pin SOT-23 T/R
Akcel
Весь мир
ZXMN6A08E6TA
Diodes
от 20 ₽
Utmel
Весь мир
ZXMN6A08E6TA
Diodes
от 21 ₽
ChipWorker
Весь мир
ZXMN6A08E6TA
Diodes
46 ₽
EIS Components
Весь мир
ZXMN6A08E6_06
Zetex
74 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23-6

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
ZXMN6A08E6
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS
60
RDS(on) ( )

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 100 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 3.5 А
  • Current Temperature: 25°C
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • Температура перехода минимальная: -55°C
  • Количество транзисторов: 1
  • On State Resistance Max: 100 МОм
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
  • Pulse Current Idm: 4 А
  • SMD Marking: 6A8
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
  • Voltage Vds Typ: 60 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet ZXMN6A08E6 - Diodes MOSFET, N, SOT-23-6

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России