Datasheet ZXMN6A08E6 - Diodes Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23-6 — Даташит
Наименование модели: ZXMN6A08E6
Купить ZXMN6A08E6 на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 80 ₽ 29 предложений от 15 поставщиков Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 6Pin SOT-23 T/R | |||
ZXMN6A08E6TA Diodes | от 20 ₽ | ||
ZXMN6A08E6TA Diodes | от 21 ₽ | ||
ZXMN6A08E6TA Diodes | 46 ₽ | ||
ZXMN6A08E6_06 Zetex | 74 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Diodes
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23-6
Краткое содержание документа:
ZXMN6A08E6
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
SUMMARY V(BR)DSS
60
RDS(on) ( )
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 100 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 3.5 А
- Current Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 100 МОм
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
- Pulse Current Idm: 4 А
- SMD Marking: 6A8
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Min: 1 В
RoHS: есть