Datasheet FCD4N60TM - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, 600 В, D-PAK — Даташит
Наименование модели: FCD4N60TM
Купить FCD4N60TM на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 3 337 ₽ 30 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 3.9 А, 1 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount | |||
FCD4N60TM ON Semiconductor | 16 ₽ | ||
FCD4N60TM ON Semiconductor | 16 ₽ | ||
FCD4N60TM | 3 337 ₽ | ||
FCD4N60TM_WS Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N, 600 В, D-PAK
Краткое содержание документа:
FCD4N60 600V N-Channel MOSFET
FCD4N60
600V N-Channel MOSFET
Features
· 650V @TJ = 150°C · Typ.
RDS(on) = 1.0 · Ultra low gate charge (typ. Qg = 12.8nC) · Low effective output capacitance (typ. Coss.eff = 32pF) · 100% avalanche tested
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.9 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 1 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
- Рассеиваемая мощность: 50 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Альтернативный тип корпуса: TO-252
- Current Id Max: 3.9 А
- On State Resistance Max: 1.2 Ом
- Тип корпуса: DPAK
- Pulse Current Idm: 11.7 А
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 5 В
- Voltage Vgs th Min: 3 В
RoHS: Y-Ex