Datasheet FCD4N60TM - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, 600 В, D-PAK — Даташит

Купить FCD4N60TM на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 186 ₽ 38 предложений от 16 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 3.9 А, 1 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
AiPCBA Весь мир	FCD4N60TM ON Semiconductor	14 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	FCD4N60TM ON Semiconductor	от 158 ₽	Купить
Онлайн Компоненты Россия	FCD4N60TM ON Semiconductor	от 181 ₽	Купить
Augswan Весь мир	FCD4N60TM_WS ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, 600 В, D-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FCD4N60 600V N-Channel MOSFET
FCD4N60
600V N-Channel MOSFET
Features
· 650V @TJ = 150°C · Typ.

RDS(on) = 1.0 · Ultra low gate charge (typ. Qg = 12.8nC) · Low effective output capacitance (typ. Coss.eff = 32pF) · 100% avalanche tested

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.9 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On Resistance Rds(on): 1 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Рассеиваемая мощность: 50 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: D-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Альтернативный тип корпуса: TO-252
• Current Id Max: 3.9 А
• On State Resistance Max: 1.2 Ом
• Тип корпуса: DPAK
• Pulse Current Idm: 11.7 А
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 5 В
• Voltage Vgs th Min: 3 В

RoHS: Y-Ex