ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet FDC6321C - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SUPERSOT-6 — Даташит

Fairchild FDC6321C

Наименование модели: FDC6321C

56 предложений от 25 поставщиков
Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 25 В, 460 мА, 0.33 Ом, SuperSOT, Surface Mount
AiPCBA
Весь мир
FDC6321C
Fairchild
15 ₽
ChipWorker
Весь мир
FDC6321C
ON Semiconductor
27 ₽
Элитан
Россия
FDC6321C
ON Semiconductor
31 ₽
МосЧип
Россия
FDC6321C_NL
Fairchild
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SUPERSOT-6

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
April 1999
FDC6321C Dual N & P Channel , Digital FET
General Description
These dual N & P Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this dual digital FET can replace several digital transistors with different bias resistors.
Features

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N and P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 460 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 25 В
  • On Resistance Rds(on): 1.1 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Voltage Vgs Max: 800 мВ
  • Корпус транзистора: SuperSOT
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Cont Current Id N Channel 2: 2.7 А
  • Cont Current Id P Channel: 1.6 А
  • Current Id Max: 680 мА
  • Current Temperature: 25°C
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Количество транзисторов: 2
  • On State Resistance N Channel Max: 680 МОм
  • On State Resistance P Channel Max: 450 МОм
  • Тип корпуса: SuperSOT-6
  • Power Dissipation Pd: 900 мВт
  • Pulse Current Idm: 1.5 А
  • SMD Marking: FDC6321C
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 800 мВ
  • Uni / Bi Directional Polarity: NP
  • Voltage Vds: 25 В
  • Voltage Vds Typ: 25 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
  • Voltage Vgs th Max: 1.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • LICEFA - V11-7-6-10
  • LICEFA - V11-7
  • Panasonic - EYGA121807A

На английском языке: Datasheet FDC6321C - Fairchild MOSFET, DUAL, NP, SUPERSOT-6

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России