HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet FDD10AN06A0 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 50 А, D-PAK, RL — Даташит

Fairchild FDD10AN06A0

Наименование модели: FDD10AN06A0

30 предложений от 16 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 135Вт; DPAK
FDD10AN06A0
Fujitsu-Siemens
19 ₽
AiPCBA
Весь мир
FDD10AN06A0_F085
ON Semiconductor
89 ₽
FDD10AN06A0
ON Semiconductor
от 319 ₽
TradeElectronics
Россия
FDD10AN06A0_Q
Fairchild
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 50 А, D-PAK, RL

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDD10AN06A0
December 2010
FDD10AN06A0
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 50A, 10.5m
Features

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 50 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0094 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252AA
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Рассеиваемая мощность: 135 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet FDD10AN06A0 - Fairchild MOSFET, N CH, 60 V, 50 A, D-PAK, RL

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России