Datasheet FDD4685 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, SMD, TO-252 — Даташит

Купить FDD4685 на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 220 ₽ 44 предложений от 23 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 40 В, 32 А, 0.023 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Lixinc Electronics Весь мир	FDD4685-F085P Rochester Electronics	28 ₽	Купить
ЧипСити Россия	FDD4685 ON Semiconductor	51 ₽	Купить
Элитан Россия	FDD4685	84 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	FDD4685TF_SB82135 Freescale	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, P, SMD, TO-252

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDD4685 40V P-Channel PowerTrench® MOSFET
October 2006
FDD4685 40V P-Channel PowerTrench® MOSFET
­40V, ­32A, 27m Features General Description
This P-Channel MOSFET has been produced using Fairchild Semiconductor's proprietary PowerTrench® technology to deliver low rDS(on) and good switching characteristic offering superior performance in application.

Max rDS(on) = 27m at VGS = ­10V, ID = ­8.4A Max rDS(on) = 35m at VGS = ­4.5V, ID = ­7A High performance trench technology for extremely low rDS(on) RoHS Compliant

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 32 А
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 27 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -1.6 В
• Рассеиваемая мощность: 69 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: TO-252
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: -8.4 А
• Тип корпуса: DPAK
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: -40 В
• Voltage Vgs Max: -20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В

RoHS: есть