Datasheet FDD8444 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, D-PAK — Даташит

Купить FDD8444 на РадиоЛоцман.Цены — от 27 до 227 ₽ 27 предложений от 17 поставщиков Труба MOS, MOSFET Transistor, N Channel, 17.5A, 40V, 0.004Ω, 10V, 2.5V
Эиком Россия	FDD8444 ON Semiconductor	от 107 ₽	Купить
ЧипСити Россия	FDD8444 ON Semiconductor	142 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	FDD8444_06 Fairchild	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	FDD8444L Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, D-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDD8444 N-Channel PowerTrench® MOSFET
December 2005
FDD8444
N-Channel PowerTrench® MOSFET
40V, 50A, 5.2m

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 17.5 А
• Current Id Max: 50 А
• Current Temperature: 25°C
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• External Depth: 10.5 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• On Resistance Rds(on): 5.2 МОм
• Pulse Current Idm: 80 А
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Reverse Recovery Time trr Typ: 51 нс
• SMD Marking: FDD8444
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
• Voltage Vds Typ: 40 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Voltage Vgs th Min: 2 В
• Альтернативный тип корпуса: TO-252
• Внешняя длина / высота: 2.55 мм
• Внешняя ширина: 6.8 мм
• Код применяемости: GP
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: D-PAK
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Рассеиваемая мощность: 227 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.66 °C/Вт
• Тип корпуса: DPAK
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)