HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet FDFS2P753Z - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, Шоттки, SMD, SO-8 — Даташит

Fairchild FDFS2P753Z

Наименование модели: FDFS2P753Z

17 предложений от 11 поставщиков
P-Channel 30 V 3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
AiPCBA
Весь мир
FDFS2P753Z
Fairchild
33 ₽
ЧипСити
Россия
FDFS2P753Z
ON Semiconductor
43 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
FDFS2P753Z
по запросу
FDFS2P753Z
Fairchild
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, P, Шоттки, SMD, SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDFS2P753Z Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode
November 2006
FDFS2P753Z
-30V, -3A, 115m Features
Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 115 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -2.1 В
  • Рассеиваемая мощность: 1.6 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: -16 А
  • Forward Current If(AV): 2 мА
  • Forward Voltage VF Max: 0.58 В
  • Тип корпуса: SOIC
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: -30 В
  • Voltage Vgs Max: 25 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
  • Voltage Vgs th Max: -3 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet FDFS2P753Z - Fairchild MOSFET, P, SCHOTTKY, SMD, SO-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России