Datasheet FDFS6N754 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит
Наименование модели: FDFS6N754
![]() 10 предложений от 10 поставщиков Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 30V, 4A, 56mOHM | |||
FDFS6N754 ON Semiconductor | 38 ₽ | ||
FDFS6N754 ON Semiconductor | 56 ₽ | ||
FDFS6N754 ON Semiconductor | по запросу | ||
FDFS6N754 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N, SO-8
Краткое содержание документа:
Final Datasheet
FDFS6N754 Integrated N-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode
August 2006
FDFS6N754
Integrated N-Channel
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 4 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 56 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
- Рассеиваемая мощность: 2 Вт
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Capacitance Ciss Typ: 225 пФ
- Current Id Max: 4 А
- On State Resistance Max: 56 МОм
- Тип корпуса: SOIC
- Pin Configuration: A(1&2), S(3), G(4), C(7&8), D(6&5)
- Pulse Current Idm: 20 А
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.5 В
- Voltage Vgs th Min: 1 В
RoHS: есть