Datasheet FDG312P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P — Даташит

Купить FDG312P на РадиоЛоцман.Цены — от 8.71 до 142 ₽ 23 предложений от 21 поставщиков Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 20V, 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
AiPCBA Весь мир	FDG312P_F169 Fairchild	8.71 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	FDG312P Rochester Electronics	от 12 ₽	Купить
Maybo Весь мир	FDG312P ON Semiconductor	14 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	FDG312P ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, P

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDG312P
February 1999
FDG312P
P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
General Description

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.2 А
• Drain Source Voltage Vds: -20 В
• On Resistance Rds(on): 187 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 900 мВ
• Рассеиваемая мощность: 750 мВт
• Корпус транзистора: SC-70
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 1.2 А
• Тип корпуса: SC70
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Max: -900 мВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 8 В

RoHS: есть