Datasheet FDG6303N - Fairchild Даташит Полевой транзистор, NN — Даташит

Купить FDG6303N на РадиоЛоцман.Цены — от 3.59 до 142 ₽ 36 предложений от 21 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 500мА; Idm: 1,3А; 0,3Вт; SOT363
Триема Россия	FDG6303N-VB	142 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	FDG6303N Fairchild	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	FDG6303N_NL Fairchild	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	FDG6303N Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, NN

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
September 2001
FDG6303N Dual N-Channel, Digital FET
General Description
These dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 500 мА
• Drain Source Voltage Vds: 25 В
• On Resistance Rds(on): 340 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 800 мВ
• Рассеиваемая мощность: 300 мВт
• Корпус транзистора: SC-70
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 500 мА
• Тип корпуса: SC-70
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 25 В
• Voltage Vgs Max: 800 мВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть