Datasheet FDG6321C - Fairchild Даташит — Даташит

Купить FDG6321C на РадиоЛоцман.Цены — от 4.86 до 48 ₽ 38 предложений от 23 поставщиков Сборка из полевых транзисторов, N/P-каналыный, 25 В, -0.41 А/0.5 А, 0.3 Вт
Lixinc Electronics Весь мир	FDG6321C ON Semiconductor	от 12 ₽	Купить
Элитан Россия	FDG6321C ON Semiconductor	46 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	FDG6321C Fairchild	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	FDG6321C-NL Sanken	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
November 1998
FDG6321C Dual N & P Channel Digital FET
General Description
These dual N & P-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETS. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
Features

Спецификации:

• MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT: NO
• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 500 мА
• Drain Source Voltage Vds: 25 В
• On Resistance Rds(on): 450 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 800 мВ
• Рассеиваемая мощность: 300 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SC-70
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 500 мА
• Тип корпуса: SC-70
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 25 В
• Voltage Vgs Max: 800 мВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть