Datasheet FDMC2523P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, SUPER33 — Даташит
Наименование модели: FDMC2523P
![]() 32 предложений от 17 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8 | |||
FDMC2523P ON Semiconductor | от 127 ₽ | ||
FDMC2523P ON Semiconductor | от 129 ₽ | ||
FDMC2523P ON Semiconductor | 161 ₽ | ||
FDMC2523P Fairchild | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, P, SUPER33
Краткое содержание документа:
FDMC2523P P-Channel QFET®
January 2007
FDMC2523P P-Channel QFET®
-150V, -3A, 1.5 Features
Max rDS(on) = 1.5 at VGS = -10V, ID = -1.5A Low Crss ( typical 10pF) Fast Switching Low gate charge ( typical 6.2 nC ) Improved dv / dt capability RoHS Compliant
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 3 А
- Drain Source Voltage Vds: 150 В
- On Resistance Rds(on): 1.5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.8 В
- Рассеиваемая мощность: 42 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: Power 33
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Capacitance Ciss Typ: 200 пФ
- Current Id Max: 3 А
- On State Resistance Max: 1.5 Ом
- Тип корпуса: Power 33
- Pin Configuration: D(5, 6, 7, 8), G(4), S(1, 2, 3)
- Pulse Current Idm: 12 А
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: -150 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В
- Voltage Vgs th Max: -5 В
- Voltage Vgs th Min: -3 В
RoHS: есть