Datasheet FDMC2610 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, MLP — Даташит

Купить FDMC2610 на РадиоЛоцман.Цены — от 29 до 278 ₽ 34 предложений от 17 поставщиков МОП-транзистор 200V N-Ch UltraFET PowerTrench МОП-транзистор
ТМ Электроникс Россия	FDMC2610 ON Semiconductor	от 190 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	FDMC2610 ON Semiconductor	от 204 ₽	Купить
Maybo Весь мир	FDMC2610 ON Semiconductor	278 ₽	Купить
МосЧип Россия	FDMC2610_07 Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, SMD, MLP

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDMC2610 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET
January 2007
FDMC2610 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET
200V, 9.5A, 200m Features General Description
Max rDS(on) = 200m at VGS = 10V, ID = 2.2A Max rDS(on) = 215m at VGS = 6V, ID = 1.5A Low Profile - 1mm max in a Power 33 RoHS Compliant

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On Resistance Rds(on): 200 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 3.2 В
• Корпус транзистора: Power 33
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 9.5 А
• Тип корпуса: Power 33
• Power Dissipation Pd: 2.1 Вт
• Pulse Current Idm: 15 А
• SMD Marking: FDMC2610
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.2 В
• Voltage Vds Typ: 200 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В

RoHS: есть