Datasheet FDP33N25 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

Купить FDP33N25 на РадиоЛоцман.Цены — от 39 до 4 681 ₽ 36 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 250 В, 33 А, 0.094 Ом, TO-220, Through Hole
Стандарт СИЗ Россия	FDP33N25 Fairchild	39 ₽	Купить
AliExpress Весь мир	FDP3205 FDP33N25 FDP3632 FDP3651U FDP3652 FDP3672 FDP3682 FDP39N20 FDP4020P FDP46N30 FDP5500 FDP5800 FDP51N25 FDP52N20	43 ₽	Купить
ЭИК Россия	FDP33N25 ON Semiconductor	от 201 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	FDP33N25_07 Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDP33N25 250V N-Channel MOSFET
FDP33N25
250V N-Channel MOSFET Features
· 33A, 250V, RDS(on) = 0.094 @VGS = 10 V · Low gate charge ( typical 36.8 nC) · Low Crss ( typical 39 pF) · Fast switching · 100% avalanche tested · Improved dv/dt capability
UniFET

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 33 А
• Drain Source Voltage Vds: 250 В
• On Resistance Rds(on): 94 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: SOT-78B
• Capacitance Ciss Typ: 1640 пФ
• Current Id Max: 33 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.53°C/W
• On State Resistance Max: 94 МОм
• On State Resistance Typ: 77 МОм
• Тип корпуса: TO-220
• Pin Configuration: G(1), D(2)S(3)
• Power Dissipation Pd: 235 Вт
• Pulse Current Idm: 132 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 250 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 5 В
• Voltage Vgs th Min: 3 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
• Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
• Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
• Fischer Elektronik - WLK 5