Datasheet FDPF51N25 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N CH, 250 В, 28 А, TO220F — Даташит

Купить FDPF51N25 на РадиоЛоцман.Цены — от 57 до 7 864 ₽ 46 предложений от 22 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 250 В, 28 А, 0.06 Ом, TO-220F, Through Hole
Стандарт СИЗ Россия	FDPF51N25 Fairchild	57 ₽	Купить
Utmel Весь мир	FDPF51N25RDTU ON Semiconductor	от 122 ₽	Купить
Akcel Весь мир	FDPF51N25RDTU ON Semiconductor	от 125 ₽	Купить
Триема Россия	FDPF51N25	228 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N CH, 250 В, 28 А, TO220F

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDPF51N25 28A, 250V N-Channel MOSFET
FDPF51N25
28A, 250V N-Channel MOSFET Features
· RDS(on) = 0.060 @ VGS = 10 V · Low gate charge ( typical 55 nC) · Low Crss ( typical 63 pF) · Fast switching · 100% avalanche tested · Improved dv/dt capability
UniFET

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 28 А
• Drain Source Voltage Vds: 250 В
• On Resistance Rds(on): 60 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 5 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-220F
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 3620 пФ
• Current Id Max: 28 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.07°C/W
• On State Resistance Max: 60 МОм
• On State Resistance Typ: 48 МОм
• Тип корпуса: TO-220F
• Pin Configuration: G(1), D(2), S(3)
• Power Dissipation Pd: 117 Вт
• Pulse Current Idm: 112 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 250 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 5 В
• Voltage Vgs th Min: 3 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
• Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Multicomp - MK3306