Datasheet FDS5670 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит
Наименование модели: FDS5670
![]() 40 предложений от 22 поставщиков Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | |||
FDS5670 ON Semiconductor | 145 ₽ | ||
FDS5670 ON Semiconductor | от 162 ₽ | ||
FDS5670 ON Semiconductor | 165 ₽ | ||
FDS5670 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N, SO-8
Краткое содержание документа:
FDS5670
August 1999
FDS5670
60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
General Description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 10 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 14 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 2.4 В
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 10 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Pulse Current Idm: 50 А
- SMD Marking: FDS5670
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.4 В
- Voltage Vds: 60 В
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5