Datasheet FDS6875 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SO-8 — Даташит

Купить FDS6875 на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 174 ₽ 38 предложений от 20 поставщиков Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -6А; 1,6Вт; SO8
Lixinc Electronics Весь мир	FDS6875	от 40 ₽	Купить
Эиком Россия	FDS6875 ON Semiconductor	от 85 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	FDS6875NL Fairchild	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	FDS6875_NF40 Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, PP, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
November 1998
FDS6875 Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
General Description
These P-Channel 2.5V specified MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.

These devices are well suited for portable electronics applications: load switching and power management, battery charging and protection circuits.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 6 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 30 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Voltage Vgs Max: -800 мВ
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: -6 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Pulse Current Idm: 20 А
• SMD Marking: FDS6875
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -800 мВ
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vds Typ: -20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
• Voltage Vgs th Max: -1.5 В

RoHS: есть