Datasheet FDT458P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P — Даташит
Наименование модели: FDT458P
![]() 56 предложений от 23 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 30V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | |||
FDT458P ON Semiconductor | 30 ₽ | ||
FDT458P ON Semiconductor | 52 ₽ | ||
FDT458P ON Semiconductor | 74 ₽ | ||
FDT458P | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, P
Краткое содержание документа:
FDT458P
June 2001
FDT458P
30V P-Channel PowerTrench® MOSFET
General Description
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.4 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 105 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Рассеиваемая мощность: 3 Вт
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 3.4 А
- Тип корпуса: SOT-223
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: -1.8 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: Y-Ex