Datasheet FQB34N20LTM - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SMD, TO-263 — Даташит
Наименование модели: FQB34N20LTM
Купить FQB34N20LTM на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 9 384 ₽ 22 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 200 В, 31 А, 0.075 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | |||
FQB34N20LTM Fujitsu-Siemens | 34 ₽ | ||
FQB34N20LTM ON Semiconductor | 138 ₽ | ||
FQB34N20LTM ON Semiconductor | от 576 ₽ | ||
FQB34N20LTM ON Semiconductor | от 643 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N, SMD, TO-263
Краткое содержание документа:
FQB34N20L / FQI34N20L
October 2008
QFET
®
FQB34N20L / FQI34N20L
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 31 А
- Current Id Max: 31 А
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On Resistance Rds(on): 75 МОм
- Power Dissipation on 1 Sq.
PCB: 3.13 Вт
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Voltage Vds Typ: 200 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2 В
- Количество выводов: 2
- Корпус транзистора: D2-PAK
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 180 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Тип корпуса: D2-PAK
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)