Datasheet NDS9952A - Fairchild Даташит Полевой транзистор, NP CH, 30 В, 3.7/-2.9 А, 8SOIC — Даташит

Купить NDS9952A на РадиоЛоцман.Цены — от 30 до 268 ₽ 22 предложений от 19 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 3.7 А, 0.06 Ом, SOIC, Surface Mount
ChipWorker Весь мир	NDS9952A ON Semiconductor	34 ₽	Купить
Элитан Россия	NDS9952A ON Semiconductor	101 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	NDS9952A_NL Fairchild	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	NDS9952A	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, NP CH, 30 В, 3.7/-2.9 А, 8SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
February 1996
NDS9952A Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
These dual N- and P-channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.7 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 80 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Рассеиваемая мощность: 2 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 3.7 А
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 1.7 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть