Datasheet NDT014 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N SOT-223 — Даташит

Купить NDT014 на РадиоЛоцман.Цены — от 8.08 до 1 048 ₽ 34 предложений от 20 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 2.8 А, 0.12 Ом, SOT-223, Surface Mount
Lixinc Electronics Весь мир	NDT014 ON Semiconductor	от 22 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	NDT014 ON Semiconductor	35 ₽	Купить
Элитан Россия	NDT014L ON Semiconductor	67 ₽	Купить
ЭИК Россия	NDT014L ON Semiconductor	от 74 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
September 1996
NDT014 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
Power SOT N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC motor control and DC/DC conversion where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.7 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 180 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 2.7 А
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 3 Вт
• Pulse Current Idm: 10 А
• SMD Marking: 014
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• BONKOTE - BON102
• Electrolube - SMA10SL
• Roth Elektronik - RE901