Datasheet NDT3055L - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит

Купить NDT3055L на РадиоЛоцман.Цены — от 8.87 до 247 ₽ 39 предложений от 22 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 4 А, 0.07 Ом, SOT-223, Surface Mount
Элитан Россия	NDT3055L	15 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	NDT3055L ON Semiconductor	16 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	NDT3055L ON Semiconductor	23 ₽	Купить
Контест Россия	NDT3055L	247 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
August 1998
NDT3055L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
These logic level N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation modes. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC motor control and DC/DC conversion where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 100 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 1.6 В
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 4 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 3 Вт
• Pulse Current Idm: 25 А
• SMD Marking: 3055L
• Ширина ленты: 12 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2 В

RoHS: Y-Ex