Datasheet NDT452AP - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, SOT-223 — Даташит

Купить NDT452AP на РадиоЛоцман.Цены — от 10 до 1 848 ₽ 43 предложений от 23 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 5 А, 0.065 Ом, SOT-223, Surface Mount
Элитан Россия	NDT452AP Multicomp	27 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NDT452AP Fairchild	51 ₽	Купить
IC Home Весь мир	NDT452AP ON Semiconductor	93 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NDT452AP Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, P, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
June 1996
NDT452AP P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
Power SOT P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and DC motor control.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 5 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 65 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Voltage Vgs Max: -1.6 В
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 5 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 3 Вт
• Pulse Current Idm: 15 А
• SMD Marking: 452 А
• Ширина ленты: 12 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: -2.8 В

RoHS: Y-Ex