Datasheet NDT454P - Fairchild Даташит Полевой транзистор, P, SMD, SOT-223 — Даташит

Купить NDT454P на РадиоЛоцман.Цены — от 9.70 до 3 856 ₽ 18 предложений от 17 поставщиков Труба MOS, MOSFET Transistor, P Channel, -5.9A, -30V, 50mohm, -10V, -2.7V
Lixinc Electronics Весь мир	NDT454P Rochester Electronics	от 59 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	NDT454P	3 856 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	NDT454P ON Semiconductor	по запросу	Купить
ТаймЧипс Россия	NDT454P_Q Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, P, SMD, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
June 1996
NDT454P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
Power SOT P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: -5.9 А
• Drain Source Voltage Vds: -30 В
• On Resistance Rds(on): 50 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -2.7 В
• Рассеиваемая мощность: 3 Вт
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: -5.9 А
• Тип корпуса: SOT-223
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: -30 В
• Voltage Vgs Max: -2.7 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В

RoHS: Y-Ex