Datasheet FDT457N - Fairchild Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 5 А, SOT-223 — Даташит

Купить FDT457N на РадиоЛоцман.Цены — от 10 до 2 469 ₽ 41 предложений от 18 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 5 А, 0.043 Ом, SOT-223, Surface Mount
Maybo Весь мир	FDT457N ON Semiconductor	78 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	FDT457N ON Semiconductor	от 85 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	FDT457N Fairchild	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	FDT457N_NL Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 5 А, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
August 1998
FDT457N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology.

This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. These products are well suited to low voltage, low current applications such as notebook computer power management, battery powered circuits, and DC motor control.
Features

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 60 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 16 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 3 Вт
• Pulse Current Idm: 16 А
• SMD Marking: FDT457N
• Ширина ленты: 12 мм
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vgs th Max: 3 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Roth Elektronik - RE901
• WAKEFIELD SOLUTIONS - 217-36CTRE6