Datasheet FDD8586 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, D-PAK — Даташит
Наименование модели: FDD8586
Купить FDD8586 на РадиоЛоцман.Цены — от 4.65 до 2 734 ₽ 12 предложений от 9 поставщиков транз: N-MOSFET 30V 17A | |||
FDD8586 (ST-STD17NF03LT4) STMicroelectronics | 4.65 ₽ | ||
FDD8586 Fairchild | 27 ₽ | ||
FDD8586 Fairchild | по запросу | ||
FDD8586 ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N, D-PAK
Краткое содержание документа:
FDD8586/FDU8586 N-Channel PowerTrench® MOSFET
January 2007
FDD8586/FDU8586 N-Channel PowerTrench® MOSFET
20V, 35A, 5.5m Features General Description
Max rDS(on) = 5.5m at VGS = 10V, ID = 35A Max rDS(on) = 8.5m at VGS = 4.5V, ID = 33A Low gate charge: Qg(TOT) = 34nC(Typ), VGS = 10V Low gate resistance 100% Avalanche tested RoHS compliant Vcore DC-DC for Desktop Computers and Servers VRM for Intermediate Bus Architecture
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 35 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 5.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: TO-252
- Current Id Max: 35 А
- Тип корпуса: DPAK
- Power Dissipation Pd: 77 Вт
- Pulse Current Idm: 354 А
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.5 В
- Voltage Vgs th Min: 1.2 В
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D PAK
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5