Datasheet FCU5N60TU - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, 600 В, I-PAK — Даташит

Купить FCU5N60TU на РадиоЛоцман.Цены — от 39 до 59 ₽ 11 предложений от 9 поставщиков , N-Channel SuperFET® MOSFET 600V, 4.6A, 950mΩ
727GS Весь мир	FCU5N60TU	от 39 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	FCU5N60TU ON Semiconductor	52 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	FCU5N60TU Fairchild	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	FCU5N60TU ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N, 600 В, I-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FCD5N60 / FCU5N60 600V N-Channel MOSFET
FCD5N60 / FCU5N60
600V N-Channel MOSFET
Features
· 650V @TJ = 150°C · Typ.

Rds(on)=0.81 · Ultra low gate charge (typ. Qg=16nC) · Low effective output capacitance (typ. Coss.eff=32pF) · 100% avalanche tested

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On Resistance Rds(on): 950 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: I-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: TO-251AA
• Current Id Max: 4.6 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Тип корпуса: IPAK
• Power Dissipation Pd: 54 Вт
• Pulse Current Idm: 13.8 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 10 В/мкс
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds: 600 В
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 5 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Panasonic - EYGA121807A
• Roth Elektronik - RE901