Datasheet RFP40N10 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит
Наименование модели: RFP40N10
 Купить RFP40N10 на РадиоЛоцман.Цены — от 2.92 до 283 ₽21 предложений от 20 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные | |||
| RFP40N10 | 119 ₽ | ||
| RFP40N10LE Rochester Electronics | 161 ₽ | ||
| RFP40N10 | 257 ₽ | ||
| RFP40N10LE Intersil | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Fairchild
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
RFG40N10, RFP40N10, RF1S40N10, RF1S40N10SM
Data Sheet January 2002
40A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
These are N-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process.
This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and emitter switches for bipolar transistors. These transistors can be operated directly from integrated circuits. Formerly developmental type TA9846
Features
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 40 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 40 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 4 В
- Корпус транзистора: TO-220AB
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 40 А
- Current Temperature: 25°C
- Маркировка: RFP40N10
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 40 МОм
- Тип корпуса: TO-220AB
- Power Dissipation Pd: 160 Вт
- Pulse Current Idm: 100 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
- Fischer Elektronik - WLK 5
