Datasheet BSC016N03MS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 А, 30 В, PG-TDSON-8 — Даташит
Наименование модели: BSC016N03MS G
Купить BSC016N03MS G на РадиоЛоцман.Цены — от 44 до 6 284 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков OptiMOS?„?3 M-Series Power-MOSFET | |||
| BSC016N03MSG Infineon | 44 ₽ | ||
| BSC016N03MSG Infineon | 47 ₽ | ||
| BSC016N03MSG | по запросу | ||
| BSC016N03MSG Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 А, 30 В, PG-TDSON-8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
% !
%
"%&$!"#D
7LHZ[XLY
% 0<0= # : A 0< " % & 4
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 1.3 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PG-TSDSON
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 100 А
- Power Dissipation Pd: 125 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть
