Datasheet BSC017N04NS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 А, 40 В, PG-TDSON-8 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 А, 40 В, PG-TDSON-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
% ! ! %
"%&$!"#D # : A 0< < & ,9=4 : < =>
7LHZ[XLY P 1B B C 89 & ( , - 6 A, & ) , C F9 >7 3 ? P ( @C I54 C 8>? < 7H 6 A 3 ? >E5A5A 9 =9 53 ? ? C B P * D 954 13 3 ? A >7 C $ 1<6 9 49 ? P' 3 81>>5< P' ? A =1<< 5E5< P G 5<5>C71C 3 81A G' 9H"[Z# @A 4D C ( & 3 < 5 75 ? 3 P.

5A < F ? >A 9C 5 ' 9H"[Z# H? 5BB1>3 P , D 9 AC =13 P   E1< 85 C C 1>3 5B54 P ) 2 655 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>C A 1C >7 9 P " 1< 75>655 13 3 ? A >7 C # ? A 49 ? B_WL ,  '  ' , ! ?HJRHNL E=%I9HDC%0 )#
# < /?.>% ?8 8 ,< : C ) 9H ' 9H"[Z#$YMc $9 ,( )&/ )(( E=%I9HDC%0 J Y" 6

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 40 В
• On Resistance Rds(on): 1.4 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: PG-TSDSON
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 100 А
• Power Dissipation Pd: 139 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть