Datasheet BSC019N04NS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 А, 40 В, PG-TDSON-8 — Даташит
Наименование модели: BSC019N04NS G
![]() 15 предложений от 12 поставщиков , N-channel Mosfet 20v300v Power Transistor Power Mosfet | |||
BSC019N04NSG Infineon | 44 ₽ | ||
BSC019N04NSG Infineon | по запросу | ||
BSC019N04NSG Infineon | по запросу | ||
BSC019N04NSG Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 А, 40 В, PG-TDSON-8
Краткое содержание документа:
% ! ! %
"%&$!"#D # : A 0< < & ,9=4 : < =>
7LHZ[XLY P 1B B C 89 & ( , - 6 A, & ) , C F9 >7 3 ? P ( @C I54 C 8>? < 7H 6 A 3 ? >E5A5A 9 =9 53 ? ? C B P * D 954 13 3 ? A >7 C $ 1<6 9 49 ? P' 3 81>>5< ' ? A =1<< 5E5< P G 5<5>C71C 3 81A G' 9H"[Z# @A 4D C ( & 3 < 5 75 ? 3 P.
5A < F ? >A 9C 5 ' 9H"[Z# H? 5BB1>3 P , D 9 AC =13 P
E1< 85 C C 1>3 5B54 P ) 2 655 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>C A 1C >7 9 P " 1< 75>655 13 3 ? A >7 C #
? A 49 ? B_WL ,
' ' , ! ?HJRHNL E=%I9HDC%0
# < /?.>% ?8 8 ,< : C ) 9H ' 9H"[Z#$YMc $9 ,( )&1 )(( E=%I9HDC%0 J Y" 6
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 1.6 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: PG-TSDSON
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 100 А
- Power Dissipation Pd: 125 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть