Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet BSC025N03MS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 А, 30 В, PG-TDSON-8 — Даташит

Infineon BSC025N03MS G

Наименование модели: BSC025N03MS G

15 предложений от 13 поставщиков
Труба MOS, MOSFET OptiMOS 3M-Series PWR-MOSFET 30V 100A
727GS
Весь мир
BSC025N03MSG
Infineon
от 1.77 ₽
BSC025N03MSG
Infineon
от 156 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
BSC025N03MSG
Infineon
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
BSC025N03MSG
Infineon
по запросу
Особенности выбора танталовых конденсаторов Xiangyee по номинальному напряжению

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 А, 30 В, PG-TDSON-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
% !
%
"%&$!"#D
7LHZ[XLY
% 0<0= # : A 0< " % & 4

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 2.1 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: PG-TSDSON
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 100 А
  • Power Dissipation Pd: 83 Вт
  • Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BSC025N03MS G - Infineon MOSFET, N CH, 100 A, 30 V, PG-TDSON-8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка