Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet BSC030N03MS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 А, 30 В, PG-TDSON-8 — Даташит

Infineon BSC030N03MS G

Наименование модели: BSC030N03MS G

16 предложений от 14 поставщиков
Труба MOS, Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0038Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8
Lixinc Electronics
Весь мир
BSC030N03MSG
Rochester Electronics
29 ₽
ChipWorker
Весь мир
BSC030N03MSG
Infineon
80 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
BSC030N03MSG
Infineon
по запросу
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
BSC030N03MSG
Infineon
по запросу
Особенности выбора танталовых конденсаторов Xiangyee по номинальному напряжению

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 А, 30 В, PG-TDSON-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
% !
%
"%&$!"#D
7LHZ[XLY
% 0<0= # : A 0< " % & 4

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 2.5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: PG-TSDSON
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 100 А
  • Power Dissipation Pd: 69 Вт
  • Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BSC030N03MS G - Infineon MOSFET, N CH, 100 A, 30 V, PG-TDSON-8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка