Datasheet BSC030N03MS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 А, 30 В, PG-TDSON-8 — Даташит
Наименование модели: BSC030N03MS G
![]() 17 предложений от 14 поставщиков Труба MOS, Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0038Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8 | |||
BSC030N03MSG Rochester Electronics | 28 ₽ | ||
BSC030N03MSG Infineon | по запросу | ||
BSC030N03MSG+F30 Infineon | по запросу | ||
BSC030N03MSG Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 А, 30 В, PG-TDSON-8
Краткое содержание документа:
% !
%
"%&$!"#D
7LHZ[XLY
% 0<0= # : A 0< " % & 4
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 2.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PG-TSDSON
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 100 А
- Power Dissipation Pd: 69 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть