Datasheet BSC042N03MS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 93 А, 30 В, PG-TDSON-8 — Даташит

Infineon BSC042N03MS G

Наименование модели: BSC042N03MS G

Купить BSC042N03MS G на РадиоЛоцман.Цены — от 73 до 3 768 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков PG-TDSON-8; N-KANAL POWER MOS
AiPCBA Весь мир	BSC042N03MSG Infineon	73 ₽
ChipWorker Весь мир	BSC042N03MSG Infineon	74 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	BSC042N03MSG Infineon	по запросу
ЗУМ-СМД Россия	BSC042N03MSG Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 93 А, 30 В, PG-TDSON-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
% ! %
# '% D #A 0 " & & : < %
8 IXU V MW M S * BF ; 8 0 6;7D BB> F ) AF ; L76 AD ? D 3 H ; ; 53 A@ 74AA= 0 " + * ' S ' AI ! ( JM 8 # ; ! 7CG7@ 5K .

( + . * AD 9: D S H >@ 5: 7 F F 3 3 7E 76 S ) 5: 3 @ @ 7> S 0 7D > A@ D ;F @ 57 ' ;J"]# K AI 7EE 3 ) >J
# < /?.>% ?8 8 ,< : C ) ;J ' ;J"]#$[Of ) >J 0 ) >J
0 $; +( ,&* -&, 1+ G>%K;JFE%0 7 L ["

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 3.5 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
Корпус транзистора: PG-TSDSON
Количество выводов: 8
Current Id Max: 93 А
Power Dissipation Pd: 57 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть