Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet BSC057N03MS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 71 А, 30 В, PG-TDSON-8 — Даташит

Infineon BSC057N03MS G

Наименование модели: BSC057N03MS G

7 предложений от 7 поставщиков
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
ЧипСити
Россия
BSC057N03MSG
Infineon
69 ₽
AiPCBA
Весь мир
BSC057N03MSG
Infineon
73 ₽
ChipWorker
Весь мир
BSC057N03MSG
Infineon
73 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
BSC057N03MSG
Infineon
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 71 А, 30 В, PG-TDSON-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
% !
%
"%&$!"#D
7LHZ[XLY
% 0<0= # : A 0< " % & 4

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 4.8 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 16 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: PG-TSDSON
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 71 А
  • Power Dissipation Pd: 45 Вт
  • Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BSC057N03MS G - Infineon MOSFET, N CH, 71 A, 30 V, PG-TDSON-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России