Datasheet BSC082N10LS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 А, 100 В, PG-TDSON-8 — Даташит
Наименование модели: BSC082N10LS G
Купить BSC082N10LS G на РадиоЛоцман.Цены — от 123 до 343 621 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков Trans MOSFET N-CH 100V 13.8A 8Pin TDSON T/R | |||
BSC082N10LSG Infineon | 123 ₽ | ||
BSC082N10LSG Infineon | 343 619 ₽ | ||
BSC082N10LSG Infineon | 343 621 ₽ | ||
BSC082N10LSG Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 А, 100 В, PG-TDSON-8
Краткое содержание документа:
&
" &
"%&$!"#E
$ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ R ( 492 ? ? 6== @8:4 = 6= 6G R I46= E E 492 C I' 9I"[# AC = 82 6 6? 86 @5F4E ) ' R/ 6C = @? C :D 2 ? 46 ' 9I"[# J @H 6D E R
U @A6C E 8 E A6C E 6 2 :? 6> 2 FC R * 3 766 = 5 A=E 8 , @" - 4@> A= ? E C 62 2 :? :2 R + F2 =:65 2 44@C 8 E $ :7 5:? @
)#
$= ;0@/?& @9 9 -= D ) 9I ' 9I"[#$ZNe $9 )(( 0&* )(( K Z" 6
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 6.8 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PG-TSDSON
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 100 А
- Power Dissipation Pd: 156 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть