Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet BSC100N03MS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 44 А, 30 В, PG-TDSON-8 — Даташит

Infineon BSC100N03MS G

Наименование модели: BSC100N03MS G

14 предложений от 11 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8Pin TDSON T/R
Lixinc Electronics
Весь мир
BSC100N03MSG
Rochester Electronics
17 ₽
BSC100N03MSG
Infineon
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
BSC100N03MSG MOS
Infineon
по запросу
Augswan
Весь мир
BSC100N03MSG
ON Semiconductor
по запросу
Особенности выбора танталовых конденсаторов Xiangyee по номинальному напряжению

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 44 А, 30 В, PG-TDSON-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
% !
%
"%&$!"#D
7LHZ[XLY
% 0<0= # : A 0< " % & 4

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 8.3 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: PG-TSDSON
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 44 А
  • Power Dissipation Pd: 30 Вт
  • Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BSC100N03MS G - Infineon MOSFET, N CH, 44 A, 30 V, PG-TDSON-8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка