Datasheet BSC105N10LSF G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 90 А, 100 В, PG-TDSON-8 — Даташит

Купить BSC105N10LSF G на РадиоЛоцман.Цены 8 предложений от 6 поставщиков MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
727GS Весь мир	BSC105N10LSFG Infineon	от 130 ₽	Купить
МосЧип Россия	BSC105N10LSFG Infineon	по запросу	Купить
ЗУМ-СМД Россия	BSC105N10LSFG Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	BSC105N10LSFG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 90 А, 100 В, PG-TDSON-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
& "  &
"%&$!"#E $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ R ( 492 ? ? 6== @8:4 = 6= 6G R / 6C = 82 E 492 C I' 9I"[# AC J @H 6 86 @5F4E ) ' R / 6C = @? C :D 2 ? 46 ' 9I"[# J @H 6D E R  U @A6C E 8 E A6C E 6 2 :? 6> 2 FC R * 3 766 = 5 A=E 8 , @" - 4@> A= ? E " 2 = C 62 2 :? :2 @86? R + F2 =:65 2 44@C 8 E $ :7 5:? @
)#
$= ;0@/?& @9 9 -= D ) 9I ' 9I"[#$ZNe $9 )(( )(&1( F=%J9IED%0 C 66 K Z" 6

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 8 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PG-TSDSON
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 90 А
• Power Dissipation Pd: 156 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть