Datasheet BSC118N10NS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 71 А, 100 В, PG-TDSON-8 — Даташит

Infineon BSC118N10NS G

Наименование модели: BSC118N10NS G

Купить BSC118N10NS G на РадиоЛоцман.Цены — от 47 до 14 986 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков N-channel Mosfet 20v300v Power Transistor Power Mosfet
ЧипСити Россия	BSC118N10NSG Infineon	47 ₽
AiPCBA Весь мир	BSC118N10NSG Infineon	49 ₽
ЗУМ-СМД Россия	BSC118N10NSG Infineon	по запросу
МосЧип Россия	BSC118N10NSG Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 71 А, 100 В, PG-TDSON-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
% ! ! %
# '% D #A 0& 9 4> < & : < < ==: ,
8 IXU V MW M Q ' 3 81>>5< >? B < 5< =1< 5F Q H3 5<5>D 5 3 81B H' 9H"[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q.

5B < G ? >B 9D 5 ' 9H"[Z# I? 5CC 1>3 Q T ? @5B 9 D 1D 5=@5B EB >7 1D 5 Q ) 2 655 < B 514 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>D 1D >7 9 Q * E1<654 13 3 ? B >7 D $ 9 9 49 ?
)#
# < /? .>% ? 8 8 ,< : C ) 9H ' 9H"[Z#$YMd $9 )(( ))&0 /) J Y" 6

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 10 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
Корпус транзистора: PG-TSDSON
Количество выводов: 8
Current Id Max: 71 А
Power Dissipation Pd: 114 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть