Datasheet BSC123N08NS3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 А, 80 В, PG-TDSON-8 — Даташит
Наименование модели: BSC123N08NS3 G
Купить BSC123N08NS3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 3 265 ₽ 22 предложений от 11 поставщиков 80V 11A 12.3mΩ@10V,33A 2.5W 3.5V@33uA N Channel PG-TDSON-8 MOSFETs ROHS | |||
BSC123N08NS3G Infineon | 14 ₽ | ||
BSC123N08NS3G Infineon | от 87 ₽ | ||
BSC123N08NS3G Infineon | по запросу | ||
BSC123N08NS3G Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 А, 80 В, PG-TDSON-8
Краткое содержание документа:
$
$
"%&$!"#C " 9@ /; ; % +8<3 9; <=
6KGYZWKX Q #451<6 B 78 65AE5>3 I C D89 1>4 C
B
? 89 B G9 >7 3 I>3 53 Q ( @D J54 D 8>? < 7I 6 B 3 ? >F D C 9 =9 53 ? ? 5B 5B Q H3 5<5>D 5 3 81B H' 9H"[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q, E@5B B 85B B 9D 5 9 D =1< 5CC 1>3 ? Q' 3 81>>5< >? B < 5< =1< 5F Q
1F 1>3 85 D D 1< 5C 54 Q) 2 655 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>D B 1D >7 9 Q* E1<654 13 3 ? B >7 D $ 9 9 49 ?
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 80 В
- On Resistance Rds(on): 10.3 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PG-TSDSON
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 55 А
- Power Dissipation Pd: 66 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть