Datasheet BSC159N10LSF G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 63 А, 100 В, PG-TDSON-8 — Даташит
Наименование модели: BSC159N10LSF G
Купить BSC159N10LSF G на РадиоЛоцман.Цены — от 120 до 147 ₽ 5 предложений от 5 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.0159ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8 | |||
BSC159N10LSFG Infineon | 120 ₽ | ||
BSC159N10LSFG Infineon | 121 ₽ | ||
BSC159N10LSFG Infineon | по запросу | ||
BSC159N10LSFG Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 63 А, 100 В, PG-TDSON-8
Краткое содержание документа:
& " &
"%&$!"#E
$ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ R ( 492 ? ? 6== @8:4 = 6= 6G R / 6C = 82 E 492 C I' 9I"[# AC J @H 6 86 @5F4E ) ' R & @H @? C :D 2 ? 46 ' 9I"[# 6D E R
U @A6C E 8 E A6C E 6 2 :? 6> 2 FC R * 3 766 = 5 A=E 8 , @" - 4@> A= ? E " 2 = C 62 2 :? :2 @86? R + F2 =:65 2 44@C 8 E $ :7 5:? @
)#
$= ;0@/?& @9 9 -= D ) 9I ' 9I"[#$ZNe $9 )(( )-&1 .+ K Z" 6
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 12.2 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PG-TSDSON
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 63 А
- Power Dissipation Pd: 114 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть