HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet BSC159N10LSF G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 63 А, 100 В, PG-TDSON-8 — Даташит

Infineon BSC159N10LSF G

Наименование модели: BSC159N10LSF G

5 предложений от 5 поставщиков
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 100V, 0.0159ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8
AiPCBA
Весь мир
BSC159N10LSFG
Infineon
120 ₽
ChipWorker
Весь мир
BSC159N10LSFG
Infineon
121 ₽
LifeElectronics
Россия
BSC159N10LSFG
Infineon
по запросу
Acme Chip
Весь мир
BSC159N10LSFG
Infineon
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 63 А, 100 В, PG-TDSON-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
& " &
"%&$!"#E $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ R ( 492 ? ? 6== @8:4 = 6= 6G R / 6C = 82 E 492 C I' 9I"[# AC J @H 6 86 @5F4E ) ' R & @H @? C :D 2 ? 46 ' 9I"[# 6D E R U @A6C E 8 E A6C E 6 2 :? 6> 2 FC R * 3 766 = 5 A=E 8 , @" - 4@> A= ? E " 2 = C 62 2 :? :2 @86? R + F2 =:65 2 44@C 8 E $ :7 5:? @
)#
$= ;0@/?& @9 9 -= D ) 9I ' 9I"[#$ZNe $9 )(( )-&1 .+ K Z" 6

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 12.2 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: PG-TSDSON
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 63 А
  • Power Dissipation Pd: 114 Вт
  • Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BSC159N10LSF G - Infineon MOSFET, N CH, 63 A, 100 V, PG-TDSON-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России