Datasheet BSC196N10NS G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 А, 30 В, PG-TDSON-8 — Даташит

Купить BSC196N10NS G на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 108 ₽ 11 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, N-channel Mosfet 20v300v Power Transistor Power Mosfet
ChipWorker Весь мир	BSC196N10NSG Infineon	34 ₽	Купить
727GS Весь мир	BSC196N10NSG Infineon	от 39 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BSC196N10NSG Infineon	48 ₽	Купить
Augswan Весь мир	BSC196N10NSG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 А, 30 В, PG-TDSON-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
% ! ! %
"%&$!"#D # : A 0< < & ,9=4 : < =>
7LHZ[XLY Q ' 3 81>>5< >? B < 5< =1< 5F Q H3 5<5>D 5 3 81B H' 9H"[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q.

5B < G ? >B 9D 5 ' 9H"[Z# I? 5CC 1>3 Q  T ? @5B 9 D 1D 5=@5B EB >7 1D 5 Q ) 2 655 < B 514 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>D 1D >7 9 Q * E1<654 13 3 ? B >7 D $ 9 9 49 ?
)#
# < /?.>% ?8 8 ,< : C ) 9H ' 9H"[Z#$YMd $9 E=%I9HDC%0 )(( )1&. ,J Y" 6

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 16.7 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: PG-TSDSON
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 45 А
• Power Dissipation Pd: 78 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть