Datasheet BSC252N10NSF G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 А, 100 В, PG-TDSON-8 — Даташит
Наименование модели: BSC252N10NSF G
![]() 11 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8Pin TDSON T/R | |||
BSC252N10NSFG Infineon | 32 ₽ | ||
BSC252N10NSFG Infineon | 45 ₽ | ||
BSC252N10NSFG-VB | 142 ₽ | ||
BSC252N10NSFG Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 100 В, PG-TDSON-8
Краткое содержание документа:
%
! ! %
"%&$!"#D
# : A 0< < & ,9=4 : < =>
7LHZ[XLY R / 6C = 82 E 492 C 7 9:89 76BF6? 4J 2 AA= E D J @H 6 86 @C C :42 :@? R ) AE :K65 7 5454 4@? G D :> @C 6C:@? R ( 492 ? ? 6=? @C 2 =6G > = 6= R I46= E E 492 C I' 9I"[# AC = 82 6 6? 86 @5F4E ) ' R& @H @? C :D 2 ? 46 ' 9I"[# 6D E R
U @A6C E 8 E A6C E 6 2 :? 6> 2 FC R * 3 766 = 5 A=E 8 , @" - 4@> A= ? E C 62 2 :? :2 R + F2 =:65 2 44@C 8 E $ :7 5:? @
)#
# < /?.>% ?8 8 ,< : C ) 9I ' 9I"[#$ZNe $9 F=%J9IED%0 )(( *-&* ,( K Z" 6
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 19.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: PG-TSDSON
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 40 А
- Power Dissipation Pd: 78 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть