Datasheet BSO150N03MD G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 9.3 А, 30 В, PG-DSO-8 — Даташит
Наименование модели: BSO150N03MD G
![]() 8 предложений от 8 поставщиков Труба MOS, INFINEON BSO150N03MD G MOSFET, N CH, 9.3A, 30V, PG-DSO-8 | |||
BSO150N03MDG Infineon | 26 ₽ | ||
BSO150N03MDG Infineon | 80 ₽ | ||
BSO150N03MDG Infineon | по запросу | ||
BSO150N03MDG Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 9.3 А, 30 В, PG-DSO-8
Краткое содержание документа:
% " !
"%&$!"#
7LHZ[XLY S G3 > 5: 3 @ @ 7> )
`
% 0<0= # : A 0< " % & 4
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 12.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 16 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: DSO
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 9.3 А
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть