Datasheet BSO330N02K G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 6.5 А, 20 В, PG-DSO-8 — Даташит
Наименование модели: BSO330N02K G
Купить BSO330N02K G на РадиоЛоцман.Цены — от 5.89 до 16 ₽ Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8 | |||
| BSO330N02KG Infineon | 5.89 ₽ | ||
| BSO330N02KG Infineon | 16 ₽ | ||
| BSO330N02KG Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 6.5 А, 20 В, PG-DSO-8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
BSO330N02K G
OptiMOSTM2 Power-Transistor
Features · For fast switching converters and sync.
rectification · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Super Logic level 2.5V rated; N-channel · Dual n-channel · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Low on-resistance R DS(on) · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant · Halogen-free according to IEC61249-2-21
Product Summary V DS R DS(on),max V GS=4.5 V V GS=2.5 V ID PG-DSO-8 20 30 50 6.5 A V m
Type BSO330N02K
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 24 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: DSO
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 6.5 А
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть
