Datasheet BSP125 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит

Купить BSP125 на РадиоЛоцман.Цены — от 1.75 до 51 ₽ 32 предложений от 19 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4
ChipWorker Весь мир	BSP125L6433 Infineon	8.51 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	BSP125L6433 Infineon	27 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	BSP125 H6433 Infineon	от 44 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	BSP125-E6327 Siemens	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Rev.

1.11
BSP125
SIPMOS® Power-Transistor
Feature · N-Channel · Enhancement mode · Logic Level · dv/dt rated
Product Summary VDS RDS(on) ID 600 45 0.12

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 120 мА
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On Resistance Rds(on): 45 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 1.9 В
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 4
• Current Id Max: 120 мА
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 1.7 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.7 Вт
• Pulse Current Idm: 480 мА
• SMD Marking: BSP125
• Ширина ленты: 12 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901